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<div data-page-id="doxcnZSSfarCRuhmd74qVtV4lpb" data-docx-has-block-data="true"> <div class="ace-line ace-line old-record-id-doxcnKCOkqseQw4U80o8XkCFwVd"><span class="p"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://info.compassedu.hk/sucai/content/1658474652354/1658474652354.png" width="808" height="454" /></span></div> <div class="ace-line ace-line old-record-id-doxcnKCOkqseQw4U80o8XkCFwVd" style="text-align: center;"><span class="h6">博士生Cameron Gorsak將反應(yīng)器打開到金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，該系統(tǒng)用于制造氧化鎵薄膜。</span></div> <div class="ace-line ace-line old-record-id-doxcnowqKoYuEkq2Y4HmDOwBD5g" style="text-align: justify;"><span class="p">&nbsp;</span></div> <div class="ace-line ace-line old-record-id-doxcn4WciECYsouQ8yqmppQanIg" style="text-align: justify;"><span class="p">康奈爾大學(xué)的工程師和材料科學(xué)家在他們的實(shí)驗(yàn)室設(shè)備套件中增加了最先進(jìn)的工具，幫助該大學(xué)成為氧化鎵研究的世界領(lǐng)導(dǎo)者，氧化鎵通常被視為碳化硅和氮化鎵的繼承人，作為許多電力電子應(yīng)用的首選半導(dǎo)體。</span></div> <div class="ace-line ace-line old-record-id-doxcnaISe4YIsUiyKac4r8q19Nb" style="text-align: justify;"><span class="p">&nbsp;</span></div> <div class="ace-line ace-line old-record-id-doxcnO2ISagKWsUOe0AFvzz6jOc" style="text-align: justify;"><span class="p">Agnitron Agilis 100金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）系統(tǒng)于6月30日在材料科學(xué)與工程助理研究教授Hari Nair的Duffield Hall實(shí)驗(yàn)室開始運(yùn)行。它經(jīng)過(guò)專門校準(zhǔn)，可形成氧化鎵薄膜，氧化鎵是一種半導(dǎo)體材料，因其處理高電壓，功率密度和頻率的能力而備受贊譽(yù)。這些屬性使其成為電動(dòng)汽車，可再生能源和5G通信以及其他應(yīng)用的理想材料。</span></div> <div class="ace-line ace-line old-record-id-doxcnEM4YMGUgqCYagJuWz15Xig" style="text-align: justify;"><span class="p">&nbsp;</span></div> <div class="image-uploaded gallery old-record-id-doxcnCqeUoqeGQ8wieMqnb1Qbzh" data-type="image" data-ace-gallery-json="{&quot;items&quot;:[{&quot;uuid&quot;:&quot;17b3f71e-459c-4086-90db-2209243f2511&quot;,&quot;height&quot;:446,&quot;width&quot;:670,&quot;currHeight&quot;:446,&quot;currWidth&quot;:670,&quot;natrualHeight&quot;:446,&quot;natrualWidth&quot;:670,&quot;pluginName&quot;:&quot;imageUpload&quot;,&quot;scale&quot;:1,&quot;src&quot;:&quot;https%3A%2F%2Finternal-api-drive-stream.feishu.cn%2Fspace%2Fapi%2Fbox%2Fstream%2Fdownload%2Fall%2FboxcnbDzzXqjmTiPTG8UXsxg4cf%2F%3Fmount_node_token%3DdoxcnCqeUoqeGQ8wieMqnb1Qbzh%26mount_point%3Ddocx_image&quot;,&quot;file_token&quot;:&quot;boxcnbDzzXqjmTiPTG8UXsxg4cf&quot;,&quot;image_type&quot;:&quot;image/jpeg&quot;,&quot;size&quot;:79513,&quot;comments&quot;:[]}]}"><span class="p"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://info.compassedu.hk/sucai/content/1658474661070/1658474661070.png" width="670" height="446" /></span></div> <div class="ace-line ace-line old-record-id-doxcn0os4a6ACcWwIiOc4f7Lomf" style="text-align: center;"><span class="h6">Hari Nair，材料科學(xué)與工程助理研究教授（左）和博士生Cameron Gorsak在金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)前。</span></div> <div class="ace-line ace-line old-record-id-doxcn02iwSk6aQQYa21jYg4gzbg" style="text-align: justify;"><span class="p">&nbsp;</span></div> <div class="ace-line ace-line old-record-id-doxcnY8WGiOaqgiK26LKRlzYqTd" style="text-align: justify;"><span class="p">&ldquo;氧化鎵的另一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)是能夠從其熔融形式中生長(zhǎng)這種材料的單晶，&rdquo;Nair說(shuō)，&ldquo;這將是擴(kuò)大基板尺寸的關(guān)鍵。這種擴(kuò)大規(guī)模的能力對(duì)于行業(yè)采用使用新型半導(dǎo)體材料制造的電子設(shè)備非常重要。</span></div> <div class="ace-line ace-line old-record-id-doxcnYk6SQe4GiKCyGw64fs0UMF" style="text-align: justify;"><span class="p">&nbsp;</span></div> <div class="ace-line ace-line old-record-id-doxcns0QU6kyEyKoYM5L26sCtAb" style="text-align: justify;"><span class="p">氧化鎵MOCVD系統(tǒng)的工作原理是將金屬有機(jī)鎵前體噴涂在加熱的單晶半導(dǎo)體基板上。熱量使前體分解，釋放出鎵原子，然后與晶片表面的氧原子結(jié)合，從而產(chǎn)生高質(zhì)量的氧化鎵結(jié)晶層。</span></div> <div class="ace-line ace-line old-record-id-doxcnimOw2iwgsgGSyeE7yVG7qg" style="text-align: justify;"><span class="p">&nbsp;</span></div> <div class="ace-line ace-line old-record-id-doxcnAiyq4SKASsYmKJwCN5ZWxm" style="text-align: justify;"><span class="p">MOCVD是生產(chǎn)化合物半導(dǎo)體外延薄膜的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，例如III族砷化物，III族磷化物和III族氮化物，它們?cè)诠鈱W(xué)和移動(dòng)通信以及固態(tài)照明等應(yīng)用中起著重要作用。在過(guò)去的五年中，使用MOCVD生長(zhǎng)的氧化鎵的質(zhì)量穩(wěn)步提高。</span></div> <div class="ace-line ace-line old-record-id-doxcnOiw64cEuYYE6iqK1PDIj5g" style="text-align: justify;"><span class="p">&nbsp;</span></div> <div class="image-uploaded gallery old-record-id-doxcnSSKmYWycIS6OeAKCrIt2wg" data-type="image" data-ace-gallery-json="{&quot;items&quot;:[{&quot;uuid&quot;:&quot;e8cd4d16-909e-4a5f-9bc9-bfb6bb26aa31&quot;,&quot;height&quot;:902,&quot;width&quot;:670,&quot;currHeight&quot;:902,&quot;currWidth&quot;:670,&quot;natrualHeight&quot;:902,&quot;natrualWidth&quot;:670,&quot;pluginName&quot;:&quot;imageUpload&quot;,&quot;scale&quot;:1,&quot;src&quot;:&quot;https%3A%2F%2Finternal-api-drive-stream.feishu.cn%2Fspace%2Fapi%2Fbox%2Fstream%2Fdownload%2Fall%2Fboxcni13ZeyTbai2rjzJUgEF7xQ%2F%3Fmount_node_token%3DdoxcnSSKmYWycIS6OeAKCrIt2wg%26mount_point%3Ddocx_image&quot;,&quot;file_token&quot;:&quot;boxcni13ZeyTbai2rjzJUgEF7xQ&quot;,&quot;image_type&quot;:&quot;image/jpeg&quot;,&quot;size&quot;:145764,&quot;comments&quot;:[]}]}"><span class="p"><img style="display: block; 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